山西烁科晶体有限公司碳化硅粉料项目技术负责人

　　自2013年7月工作至今，马康夫从事先进粉体材料制备工艺技术的生产和研发工作已有9年。目前，由马康夫和团队人员研发的超高纯碳化硅粉体整体工艺水平已达国际先进，粉体纯度达国际领先,并成功打破国外垄断与技术封锁格局，有效保障了国家重点项目的进行。
　　有10年党龄的马康夫认真地说：“2011年在西南科技大学入党宣誓的时候，我便暗暗下定决心，专注做好一件事——为科技兴国而读书，为实现科技梦而努力。”
　　碳化硅晶片“一片难求”
　　6月18日下午，跟随马康夫，山西晚报记者来到山西碳化硅生产企业——中国电子科技集团有限公司旗下山西烁科晶体有限公司大厅。在展示区内，山西晚报记者看到了传说中“一片难求”的碳化硅晶片：一张张直径4英寸或6英寸、厚度只有0.5毫米的单薄圆片，看起来和一张光盘差不多。“可别小看这些薄片，它们每张的市场售价高达2000美元左右，解决的是核心技术‘卡脖子’的难题。”
　　马康夫介绍，碳化硅单晶的制备一直是全球性难题，而高稳定性的晶体生长工艺则是其中最核心的技术。2009年，这项技术只掌握在个别国家手里，全球仅有极少数企业能商业化量产。由于我国的半导体材料长期依赖国外进口，由此带来的问题就是半导体材料价格昂贵、渠道十分不稳定，而且产品的质量也难以得到有效保证。
　　马康夫告诉山西晚报记者，研制碳化硅晶片，高纯碳化硅粉料是第一步，也是极为关键的一步，因为粉料的纯度及其它参数的优劣会直接影响碳化硅单晶生长质量，从而影响器件端（能独立起控制变换作用的元件）的良率和可靠性。“碳化硅晶体是气相生长。由碳化硅粉末在碳化硅单晶生长炉内经受高达2000多摄氏度的高温，密闭生长7天左右，长成一个直径为4英寸或6英寸的圆饼状晶锭。”马康夫说，由于温度太高，没办法进行人工干预，所以整个生长过程就如同“蒙眼绣花”，而这恰恰是晶片最核心的技术。
　　为攻克技术难关开展“持久战”
　　“当时唯一的想法是，只有自己掌握核心技术才不会被别人牵着鼻子走！”马康夫迅速调整心态，准备开展“持久战”计划。
　　马康夫夜以继日泡在单位的研发室，仔细地观察并记录下高纯碳化硅粉生产的每一个环节。随着对高纯碳化硅粉生产的一次次热场调整、工艺参数调控，马康夫形成自己的一套经验。2016年，由马康夫及团队自主合成高纯碳化硅粉体经鉴定纯度达国际领先水平，高纯碳化硅粉体合成整体技术达国际先进水平，粉体的突破有效助力了高纯碳化硅单晶质量的突破，2016年高质量的碳化硅单晶材料不仅为公司创造了6000余万元的销售收入，也使得公司成为国内第一家盈利的碳化硅单晶衬底生产企业。此外，利用自主合成粉体生长的高纯半绝缘碳化硅单晶衬底电阻率合格率＞90%，在2018年美国禁运后对国家重点项目提供了有力支撑。而此项高纯碳化硅粉体合成技术的突破，彻底打破国外垄断与技术封锁格局，实现了自主可控。
　　自2016年至今，马康夫先后获得中国电子科技集团公司科学进步奖三等奖、山西省国防科工办优秀共产党员、山西省“三晋英才”支持计划青年优秀人才等多个荣誉。“荣誉就是动力。作为一名有10年党龄的科技工作者，我今后最大的任务，就是做好一件事，并将它做到极致，那就是自立自强，为实现我的科技梦而努力！”

山西晚报记者　李婷